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可控硅检测方案分析电控系统长时间运行后,电发动机会出现跳闸等故障。基于此,对可控硅性能好坏进行检测,对于系统的日常维护、保证正常运转具有十分重要的意义。通常对电气设备的检测设备及方法有万用表、漏电仪、摇表,另外,还可以利用示波器观测导通电流以判断可控硅导通情况。在实际生产中,仅采用万用表无法判断可控硅的故障。下面对几种检测方法进行对比,以得出可控硅检测的方法。漏电仪检测法(耐压试验)采用大电流发生器(简称升流器)对可控硅K两极之间进行漏电试验。
以一个1kΩ的电阻为例,如果电路的通频带为1MHz,则呈现在电阻两端的路电压噪声有效值为4μV(设温度为室温T=290K)。看起来噪声的电动势并不大,但设将其接入一个增益为106倍的放大电路时,其输出噪声可达4V,这时对电路的干扰就很大了。电路板上的电磁元件的干扰许多电路板上都有继电器、线圈等电磁元件,在电流通过时其线圈的电感和外壳的分布电容向周围辐射能量,其能量会对周围的电路产生干扰。像继电器等元件其反复工作,通断电时会产生瞬间的反向高压,形成瞬时浪涌电流,这种瞬间的高压对电路将产生极大的冲击,从而严重干扰电路的正常工作。
平时我们都关注示波器的三大核心指标:带宽、采样率、存储深度,但是除了三大技术指标,还有底噪、非线性度、偏置误差等,上述指标决定了能否实现更的测量,那究竟这些指标的高低由谁来决定呢?当选用示波器进行测量时,除了关注核心指标,示波器测试系统的质量也是极为重要的,底噪、非线性度、偏置误差等决定了是否可以进行更好的测量,而这些指标主要由示波器的ADC性能决定,这就要引入一个概念:等效位数(ENOB,effectivenumberofbits)。ENOB是什么ENOB(等效位数)是一个极为综合的指标,在一定程度上涵盖了数字示波器的多种误差,偏置误差、增益误差、非线性度、噪声等等。在介绍ENOB之前,先介绍下SINAD,即为信号-噪声及失真比,SINAD=S/(N+D),其中S是信号功率、N是噪声功率、D是失真功率,也就是说,SINAD与信号功率呈正比,与噪声及失真功率呈反比,所以提高SINAD的方法有:降低噪声、提高信号的纯度(减小信号的畸变)。
半导体生产流程由晶圆,晶圆测试,芯片封装和封装后测试组成,晶圆和芯片封装讨论较多,而测试环节的相关知识经常被边缘化,下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容,主要集中在WAT,CP和FT三个环节。集成电路设计、、封装流程示意图WAT(WaferAcceptanceTest)测试,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),对Wafer划片槽(ScribeLine)测试键(TestKey)的测试,通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定,CMOS的电容,电阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据,测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT测试机台上,由WATRecipe自动控制测试位置和内容,测完某条TestKey后,ProbeCard会自动移到下一条TestKey,直到整片Wafer测试完成。
然而,尽管软件看起来像示波器,但它没有传统示波器所具备的高性能工具,也就无法进行故障诊断。波形可视化工具示波器采集数据,对其进行,并将其绘制在屏幕上供用户进行故障诊断和信号分析。这个显示屏上在屏幕上同时显示出叠加在一起的多个波形。使用波形强度可以快速识别信号误差,这对于观察信号很关键。然而,对于试图使用数字化仪和示波器软件的用户来说,这更加困难,并且他们经常受到信号显示限制的困扰。图2:当高频信号上出现每秒几次的短脉冲时,需要较高的波形更新速率才能捕获和显示这个信号。
石油、液化气和天然气精炼厂、存储设施、传输系统和配电站(及其安全监控功能)正全部迁移为通过云类型环境实现的全连接形式。类似地,居家云系统可遥控等优势。在这里,通过使用智能电话或平板电脑,可以访问关键的家庭或设施系统,以读取传感器信息、节省能源、使用准备或在不需要时关闭服务。 值得注意的示例是遥控恒温器。连接到微控制器和通信网络的简单温度传感器,有助于降低加热和空调(属于 耗电的居家系统)所消耗的能源。
微型称重测力传感器在工业区使用非常广泛,很多微型称重测力传感使用测试仪器,微型称重测力传感是工业实践中 为常用的一种力传感器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航天、工、石化、油井、电力、船舶、机床、液压机械等众多行业。称重仪表也叫称重显示控制仪表,是将微型称重测力传感器信号(或再经过重质变送器)转换为重量数字显现,并可对重量数据停止贮存、统计、打印的电子设备,常用于工农业消费中的自动化配料,称重,以进步消费效率。