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半导体生产流程由晶圆，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，晶圆和芯片封装讨论较多，而测试环节的相关知识经常被边缘化，下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容，主要集中在WAT，CP和FT三个环节。集成电路设计、、封装流程示意图WAT（WaferAcceptanceTest）测试，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），对Wafer划片槽（ScribeLine）测试键（TestKey）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定，CMOS的电容，电阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据，测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT测试机台上，由WATRecipe自动控制测试位置和内容，测完某条TestKey后，ProbeCard会自动移到下一条TestKey，直到整片Wafer测试完成。
他通过FLIRONEPro，成功解决过多个小区地暖管道泄漏的问题，下面是他总结的检测地暖管道泄漏的一般步骤：1.关闭水路主阀门，之后分别对每个地暖环路依次进行打压试验，找出泄漏点所在的环路。加热经过打压试验初步判断存在漏点的一路盘管。尽量提高热源温度，以保证盘管迅速升温。加热的1-2分钟后，使用FLIRONEPro手机红外热像仪观察红外视角下整个盘管的走向，寻找异常发热点。地暖漏水常存在两个现象：漏水部位管道模糊扩散，存非线状，在红外图片中呈现一团热量；漏水位置温度较高，在红外图片中呈现白亮色。
可选用IT8800系列高性能直流电子负载，设置负载工作在CV恒压模式，且电压设定值大于模拟蓄电池的电源的输出电压，避免消耗供电直流源输出的电量。IT8800系列功率范围150W-55kW，电压/电流测量速度可达50kHz，分辨率可达0.1mV/0.01mA，满足客户高精度的测试需求；具有定电压、定电流、定电阻、定功率四种操作模式，保护功能完善，内置RS232/GPIB/USB通讯接口，满足各种通讯需求。
4151调制域分析仪具有的时间间隔测量功能及应用演示如下：正时间间隔测量。4151调制域分析仪的正时间间隔测量功能，既可以实现单通道的连续周期测试，也可以实现双通道之间的相对时间间隔测试，双通道时间间隔测量需设置相对关系，AB或BA的正时间间隔测量。4151调制域分析仪正时间间隔的测量范围为4ns~8s，时间测量分辨率为5ps。正时间间隔测量演示上图是用Tek公司的任意波形发生模拟了雷达发射与接收脉冲信号的正时间间隔测试结果，B通道输入脉冲信号的周期为1us，相对延迟时间为ns。
为解决这些挑战，新模块在电压和测量电流时，支持的电缆长度和连接电容都要超过传统SMU。4201-SMU和4211-SMU是为采用长电缆、关矩阵、通过栅极接触卡盘及其他夹具的测试装置专门设计的。这就让研究人员和测试工程师节省了大量的时间和成本，而这些时间和成本本来可以花费在故障排除和重新配置测试设置上。“因为要降低电流来节省能耗，精细测试装置所产生的高负载电容正成为一个日益严重的问题。在测试智能手机或平板电脑采用的大型LCD面板时，就面临着同样的问题。
因为使用了以低电阻、高速关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器转换器马达等装置的发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比计算。功率通过电压和电流测量，机械输出通过扭矩和转速测量并计算。
由于所有的物体均发射热辐射，热辐射是物体温度的函数，该数据可用来以一种非接触的方式决定物体的确切温度。整个云台通过以太网与机器人主控电脑连接，主控制器通过网络对红外热成像、高清相机和云台运动进行控制。热成像输出CVBS模拟和高清相机数字通过压缩板进行H264编码压缩，再传输到主控电脑。热成像测温数据通过以太网接穿透压缩板直达主控制器，向主控制器每秒多帧的全屏测温数据、温信息，同时也根据被测温设备特性从主控制获取辐射率、距离、区域信息等，结合机器人的预置位能力，可以有效保证测温的准确性和多次测温数据的数据可对比性。
